晶体管的原名是半导体三极管，是一种半导体器件。因为有两种载流子，自由电子和空空穴，参与晶体管的传导，它们也被称为双极晶体管。晶体管的内部包含两个PN结，外部通常有三个引出电极。图1中示出了晶体管的几种常见形状，图2是晶体管的电气图形符号。晶体管广泛用于放大和转换电信号。与晶闸管相比，它主要有以下区别:

(1)晶体管可以在从全导通到全截止的范围内进行无级调节。

(2)晶闸管触发导通后，控制信号被切断，晶闸管在一定时间内仍能保持导通状态；并且在控制信号断电后，晶体管立即关断。

(3)与晶闸管相比，晶体管具有更短的开关时间，更好的动态性能，可以在更高的工作频率下工作。

功率晶体管可以用作开关器件和放大器件。在与晶闸管的竞争中，它们更适合开关领域。功率晶体管由于其自关断能力和高工作频率而被广泛用于斩波器和逆变器。

三极管和晶闸管有什么区别

1.不同的定义

晶体管，全称是半导体三极管，也称为双极晶体管和晶体管，是一种控制电流的半导体器件。

晶闸管是晶闸管的缩写，也称为可控硅整流器，以前称为可控硅整流器。

2.不同的原则

晶体管:

晶体三极管(以下简称三极管)根据材料分为两种:锗管和硅管。每一个都有氮磷氮磷结构，但硅氮磷氮磷锗三氧化物是最常用的(其中n在英语中表示否定)。n型半导体向高纯硅中添加磷，以取代一些硅原子。

在电压刺激下，产生自由电子来导电，而p表示正，这意味着添加硼而不是硅来产生大量空的空穴来导电)。两者的工作原理相同，只是电源极性不同。下面只介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它由两个N型半导体组成，中间夹有一个P型半导体。

在发射极区和基极区之间形成的PN结称为发射极结，而在集电极区和基极区之间形成的PN结称为集电极结，三个引线分别称为发射极e(发射极)、基极b(基极)和集电极c(集电极)。

当点B的电势比点E的电势高几伏时，发射极结处于正偏置状态，而当点C的电势比点B的电势高几伏时，集电极结处于反向偏置状态，集电极电源Ec高于基极电源Eb。

晶闸管:晶闸管运行时，其阳极(A)和阴极(K)与电源和负载相连，构成晶闸管的主电路。晶闸管的栅极G和阴极K与控制晶闸管的装置相连，构成晶闸管的控制电路。

3.不同的功能

晶体管:晶体管具有电流放大的功能。其实质是三极管可以控制集电极电流的较大变化和基极电流的较小变化。这是三极管最基本也是最重要的特性。

δIc/δIb之比称为晶体管的电流放大系数，用符号β表示。对于三极管来说，电流放大系数是一个固定值，但是当三极管工作时，它也会随着极性电流的变化而变化。

晶闸管:晶闸管是PNPN四层半导体结构，有三个电极:阳极、阴极和控制极。晶闸管具有硅整流器件的特性，可以在高压大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制。它们广泛应用于可控整流器、交流调压、非接触式电子开关、逆变器、变频等电子电路中。