反激式电源开关过程分析

许多人对这个话题进行了分析，但是一些话有时会给人们带来更多的疑惑和困惑。参考一些论文和分析，表达我个人对这个问题的分析可能与设计的分析有一些错误，但提出一个每个人都能理解的问题总比试图理解一些生涩的词语要好(在这里要说明一点，分析和说明可能不正确)。我们分析的主要问题是Q1管在关闭期间的响应。至于设计电路来减少这种响应的影响，有许多方法。就我个人而言，我认为我将通过结合价值和影响来做一个小话题。在关断过程中，如果不考虑增加一个电路来抑制瞬态过程，我们看到的波形将不是理想的。如下图所示，将上次编写的改进的电力变压器模型2带入其中进行分析:Mos管关断前的稳态分析:能量存储在励磁电感和漏电感中。同时，由于二极管的结电容，次级电容上有一定的电压，次级漏电感中没有电流。然后，我们关闭Mos管，看下图:让我们整理一下上面的过程:

1。在金属氧化物半导体管关闭后，初级电流(励磁电感、初级漏电感和电源的综合效应)对金属氧化物半导体输出电容、初级电容、初级级之间的电容、次级电容、次级二极管电容和负载电容进行充电，开始放电(你可以理解这一点，因为压差很小，电容放电也可以理解为反向充电)。Mos晶体管DS的端电压正在上升(可以认为是上述分布参数之间的谐振，该电路的Q非常小)，此时的电压可以认为是线性上升。请注意，此时次级二极管不导通，因为DS的端电压相对较小。

2.当DS的端电压上升时，次级电压达到输出电压(这是客观的，因为我们要保证输出电压的稳定性)+整流管的电压之后，如果没有次级漏电感，次级电路就会导通，所以DS的端电压会继续上升。当次级漏电感的影响被克服时，次级电流开始上升。此时，由于阻抗路径较小，从主要角度来看，激励电感的能量将会降低。

3.此时的决定性因素是初级漏电感，如果没有小阻抗路径，初级漏电感就无法耦合到次级。因此，初级漏电感与Mos管的输出电容和初级电容谐振，电压形成多次振荡(如果没有吸收和箝位电路，这一过程将持续很长时间)。初级漏电流是初级电流的一部分，因此初级漏电流的减少伴随着次级电流的增加。如果没有箝位电路，电流的下降会非常快。如果增加箝位电路，过程将延长，电压应力将降低。似乎空间相对较大。我计划将计算和模拟验证放在另一篇博文中。今天和周日我会好好休息半天，晚上看球。我的儿媳有一个政治任务，那就是游戏计算。数数是相当多的事情。