首先，霍尔元件的工作原理:所谓的霍尔效应是指当磁场作用于载流金属导体和半导体中的载流子时，横向电势差的物理现象。1879年，美国物理学家霍尔发现了金属的霍尔效应。当电流通过金属箔时，如果在垂直于电流的方向上施加磁场，在金属箔的两侧将会产生横向电势差。半导体中的霍尔效应比金属箔中的更明显，而铁磁金属在居里温度以下会表现出很强的霍尔效应。 利用霍尔效应可以设计和制造多种传感器。霍尔电势差的基本关系是 UH=RHIB/d (18) 右侧=1/nq(金属)(19) 其中右侧和右侧；& mdash霍尔系数: n & mdash& mdash载流子浓度或自由电子浓度； q & mdash& mdash电量。 I & mdash& mdash电流通过； B&·姆达什；& mdash垂直于I的磁感应； d & mdash& mdash导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式不同于等式(19)，

由于带电导线周围有磁场，其大小与导线中的电流成正比，因此导线电流的大小可以通过用霍尔元件测量磁场来确定。基于这一原理，可以设计霍尔电流传感器。其优点是与被测电路无电接触，对被测电路无影响，被测电源无功耗，特别适用于大电流传感。 如果将霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，同时在该元件上产生的霍尔电势差与电场强度E成比例。如果再次测量电磁场的磁场强度，则可以通过P=EH来确定电磁场功率密度的瞬时值P。 霍尔功率传感器可以用这种方法构成。 如果与霍尔元件集成的开关根据预定位置规则地布置在物体上，则当安装在运动物体上的永磁体通过测量电路时，可以从测量电路测量脉冲信号。可以根据脉冲信号序列来感测运动物体的位移。如果测量每单位时间的脉冲数，就可以确定运动速度。